发明名称 半导体器件
摘要 本发明公开了一种半导体器件,其包括:熔丝;存储器电路,其存储指示所述熔丝是否被烧断的判断结果的信号;以及传输防止电路,当进行所述判断时,其用于防止存储在所述存储器电路中的所述信号被传输到所述熔丝。
申请公布号 CN100561592C 申请公布日期 2009.11.18
申请号 CN200610004567.1 申请日期 2006.01.28
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 上田岳洋
分类号 G11C11/34(2006.01)I;G11C29/44(2006.01)I 主分类号 G11C11/34(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 孙志湧;陆锦华
主权项 1.一种半导体器件,包括:熔丝;存储器电路,其存储指示所述熔丝是否被烧断的判断结果的信号;以及传输防止电路,当进行所述判断时,其用于防止存储在所述存储器电路中的所述信号被传输到所述熔丝。
地址 日本神奈川