衬底处理方法及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供了一种将形成有半导体元件的用于电子器件的衬底曝露于氢基(包括重氢基)中的衬底处理方法，在所述方法中，通过等离子体来激发所述氢基，所述等离子体是向平面天线辐射微波而形成的。

主权项

1.一种衬底处理方法，该方法将形成有半导体装置的用于电子器件的衬底在处理容器内曝露于含有氢基及氢离子的气氛中，其特征在于，向所述处理容器内供给Ar气与氢气，从平面天线向所述处理容器内照射微波而生成包含Ar等离子体和氢基的气氛，通过该氢基对所述衬底进行处理，所述处理容器内的压力为13.3～267Pa，等离子体的电子温度为1.5eV以下。