发明名称 |
闸流晶体管及其制造方法 |
摘要 |
一种闸流晶体管和用于制造该闸流晶体管的方法,该方法包括:提供半导体衬底,该半导体衬底具有第一和第二主表面。在半导体衬底中形成第一掺杂区,其中该第一掺杂区自第一主表面延伸到半导体衬底中。第一掺杂区具有垂直边界,且该垂直边界具有凹口部分。在第一掺杂区中形成第二掺杂区,其中该第二掺杂区自第一主表面延伸到第一掺杂区中。在半导体衬底中形成第三掺杂区,其中第三掺杂区自第二主表面延伸到半导体衬底中。 |
申请公布号 |
CN100561749C |
申请公布日期 |
2009.11.18 |
申请号 |
CN200610149385.3 |
申请日期 |
2006.11.16 |
申请人 |
半导体元件工业有限责任公司 |
发明人 |
艾曼纽尔·索塞多-夫劳斯 |
分类号 |
H01L29/74(2006.01)I;H01L29/747(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/74(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种闸流晶体管,特征在于:具有第一和第二表面的第一导电类型的半导体衬底;第二导电类型的第一掺杂区,自第一表面延伸到半导体衬底中,第一掺杂区在半导体衬底中具有垂直边界,其中垂直边界的一部分具有第一凹口;和第一导电类型的第二掺杂区,其从第一表面延伸到第一掺杂区中。 |
地址 |
美国亚利桑那 |