| 发明名称 | 磁传感器元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁传感器元件，该磁传感器元件，具有：形成于非磁性基板(1)上的硬磁性体膜(2)、覆盖在硬磁性体膜(2)之上的绝缘层(3)、形成于绝缘层(3)上的软磁性体膜(4)，且硬磁性体膜(2)的磁化方向，相对于软磁性体膜(4)的长边方向具有角度θ。优选在从上方观察非磁性基板(1)的俯视图中，形成了上述硬磁性体膜(2)的区域，位于比形成了上述软磁性体膜(4)的区域更宽的范围，并且形成了上述软磁性体膜(4)的区域与形成了上述硬磁性体膜(2)的区域全部重叠。根据本发明，能够提供获得均匀的偏置磁场的磁传感器元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101584056A | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200880002316.7 | 申请日期 | 2008.01.17 |
| 申请人 | 株式会社藤仓;秋田县 | 发明人 | 大森贤一;相沢卓也;中尾知;丹健二 |
| 分类号 | H01L43/00(2006.01)I;G01R33/06(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 雒运朴;李 伟 |
| 主权项 | 1.一种磁传感器元件，其特征在于，具有：形成于非磁性基板上的硬磁性体膜、覆盖在硬磁性体膜上的绝缘层、形成于绝缘层上的软磁性体膜，上述硬磁性体膜的磁化方向相对于上述软磁性体膜的长边方向具有角度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||