P型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法，是先按铜、铬和M的摩尔比为1∶(0.75～1)∶(0～0.25)，称量氧化亚铜、氧化铬及金属M的氧化物，将原料混合后球磨；再将球磨之后的粉末压坯，制备成复合靶材，靶材为常温制备未经高温烧结，氧化亚铜和氧化铬及M的氧化物未发生化学反应；用得到的靶材通过脉冲激光沉积法在基板上沉积CuCr_1-xM_xO₂薄膜，0≤x≤0.25。制得的铜铁矿结构多晶CuCr_1-xM_xO₂(0≤x≤0.25)薄膜具有较高的电导率和可见光透过率，实验结果具备可重复。

主权项

1、p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于是按以下步骤完成的：(a)按铜、铬和M的摩尔比为1∶0.75～1∶0～0.25，称量氧化亚铜、氧化铬及金属M的氧化物，将原料混合后球磨；(b)将球磨之后的粉末压坯，制备成复合靶材，靶材为常温制备未经高温烧结，氧化亚铜和氧化铬及M的氧化物未发生化学反应；(c)用得到的靶材通过脉冲激光沉积法在基板上沉积CuCr1-xMxO2薄膜，0≤x≤0.25；所述的p型铜铁矿结构、透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于所述的M指Mg、Ca或Ni元素。