| 发明名称 | 离子束电荷量控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种离子束电荷量控制方法，用于正式生产前的试片测试，包括：在反应室内提供一半导体晶片作为测试试片；在所述试片表面形成绝缘层，所述绝缘层将所述试片表面分为开阔区域和狭长区域；对所述试片执行离子束注入并向所述离子束中加入电子；向所述试片表面、沿着所述开阔区域和狭长区域发射复数个光束并测量复数个光反射率；根据所述反射率的变化趋势调整所述加入电子的剂量。本发明的离子束电荷量控制方法能够通过监测离子注入的均匀度来确定晶片上加入电子的剂量是否达到最佳并相应地进行调整。 | ||
| 申请公布号 | CN100560790C | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200610116847.1 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 朱津泉 |
| 分类号 | C23C14/54(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/54(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种离子束电荷量控制方法，用于正式生产前的试片测试，包括：在反应室内提供一半导体晶片作为测试试片；在所述试片表面形成绝缘层，所述绝缘层之间具有间隔，将所述试片表面分为开阔区域和狭长区域；对所述试片进行离子束注入并向所述离子束中加入电子；向所述试片表面、沿着所述开阔区域和狭长区域发射复数个光束并测量复数个光反射率；根据所述反射率的变化趋势调整所述加入电子的剂量：若所述开阔区域的光反射率小于所述狭长区域的光反射率，则增加电子的加入剂量；若所述开阔区域的光反射率大于所述狭长区域的光反射率，则减小电子的加入剂量。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||