| 发明名称 | 晶圆表面平坦化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆表面平坦化的方法，包括，提供表面具有介质层的晶圆，包括中心区域以及环绕中心区域的边缘区域；去除边缘区域部分厚度的介质层；对于整个晶圆表面的介质层进行化学机械研磨，其中所述边缘区域为试片研磨后介质层厚度大于蚀刻通孔深度的介质层区域，边缘区域介质层去除厚度大于或等于通过试片测得的化学机械研磨后晶圆中心区域的介质层和晶圆边缘区域的介质层的平均厚度差距。本发明晶圆表面平坦化的方法使得晶圆表面的介质层在经过化学机械研磨之后，晶圆边缘区域的介质层厚度与晶圆中心区域的介质层厚度差距缩小，从而提高了晶圆表面平坦化的程度。 | ||
| 申请公布号 | CN100561677C | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200710044386.6 | 申请日期 | 2007.07.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 仇圣棻;孙鹏;施平;高金凤 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种晶圆表面平坦化的方法，其特征在于，包括下列步骤，提供表面具有介质层的晶圆，包括中心区域以及环绕中心区域的边缘区域；去除边缘区域部分厚度的介质层；对于整个晶圆表面的介质层进行化学机械研磨，其中所述边缘区域为试片研磨后介质层厚度大于蚀刻通孔深度的介质层区域，所述边缘区域介质层去除厚度大于或等于通过试片测得的化学机械研磨后晶圆中心区域的介质层和晶圆边缘区域的介质层的平均厚度差距。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||