| 发明名称 | 低温制作高应变等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种通过改良应力源的内部结构增加非晶薄膜应力源的应力水平的方法。该方法包括首先在基板(12)的至少一表面上形成非晶膜应力源材料的第一部分(14)，所述第一部分(18)具有确定第一应力值的第一状态的机械应变。该形成步骤之后，非晶膜应力源材料的第一部分被致密化(20)以使得第一状态的机械应变没有被实质地改变，而增加了该第一应力值。在某些实施例中，形成和致密化的步骤被重复任何多次(20、20A、20B)以获得预定的和期望的应力源的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN101584025A | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200680010740.7 | 申请日期 | 2006.03.29 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 迈克尔·P·贝尔扬斯基;奥利格·格卢申科夫;李瑛;阿努帕马·马利卡朱南 |
| 分类号 | H01L21/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张 波 |
| 主权项 | 1.一种增加沉积的应力源材料的应力水平的方法，包括：在基板(12)的至少一表面上形成非晶膜应力源的第一部分(16)，所述第一部分(16)具有确定第一应力值的第一状态的机械应变；以及致密化所述非晶膜应力源材料的第一部分(16)以使得所述第一状态的机械应变没有被实质地改变，而增加了所述第一应力值。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||