| 发明名称 | 制造半导体器件的方法、由此获得的半导体器件和适合该方法中使用的浆料 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造具有衬底(11)和半导体本体(2)的半导体器件(10)的方法，所述半导体器件配置有至少一个半导体元件，并且所述半导体器件的表面由通过化学机械抛光工艺形成图案的铝层(3)覆盖，其中半导体器件(10)覆盖有铝层的一侧(3)压在抛光垫(5)上，并且半导体器件(10)和抛光垫(5)相对运动，将pH值小于12的包含研磨剂的浆料(6)设置在抛光垫(5)和半导体器件(10)之间，并且继续抛光工艺直至已经去除足够数量的铝层(3)。根据本发明，在器件(10)和抛光垫(5)之间的浆料(6)具有小于5的pH值，这通过只使用其铝盐能够很好地溶解在浆料(6)中的酸来获得。通过这种方法，可以以可重复的方式获得器件(10)，所述器件(10)具有包括反射的和没有缺陷的铝图案(3)。采用包括乳酸的浆料(6)，已经获得好的结果。 | ||
| 申请公布号 | CN101584028A | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200780014643.X | 申请日期 | 2007.04.24 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 斯丹·科尔迪克 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/321(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 1、一种制造具有衬底(11)和半导体本体(2)的半导体器件(10)的方法，所述半导体器件配置有至少一个半导体元件，并且所述半导体器件的表面由通过化学机械抛光工艺形成图案的铝层(3)覆盖，其中半导体器件(10)以覆盖有铝层的一侧(3)压在抛光垫(5)上，并且半导体器件(10)和抛光垫(5)相对运动，将pH值小于12的包含研磨剂的浆料(6)设置在抛光垫(5)和半导体器件(10)之间，并且继续抛光工艺直至已经去除足够数量的铝层(3)，其特征在于，浆料(6)具有小于5的pH值，这通过只使用其铝盐能够容易地溶解在浆料(6)中的酸来获得。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||