| 发明名称 |
薄膜晶体管 |
| 摘要 |
本发明涉及一种薄膜晶体管，其包括：一源极；一漏极，该漏极与源极间隔设置的；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极及绝缘设置；所述半导体层包括一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管，其中，该碳纳米管为半导体性的碳纳米管。 |
| 申请公布号 |
CN101582444A |
申请公布日期 |
2009.11.18 |
| 申请号 |
CN200810067159.X |
申请日期 |
2008.05.14 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
姜开利;李群庆;范守善 |
| 分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；所述半导体层包括一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管，其特征在于，该碳纳米管为半导体性的碳纳米管。 |
| 地址 |
100084北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
