金属氧化物薄膜场效电晶体装置及其形成的方法

摘要

本发明系有关于使用热蒸镀反应方式以沉积金属氧化物薄膜，作为电晶体结构之半导体层与源电极/汲电极。而金属氧化物薄膜之电阻率随着不同的厚度与退火温度有很大的差异。故且配合不同的条件，使用金属氧化物薄膜可同时达成半导体层与源电极/汲电极。