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发明名称 GAN-BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME
摘要
申请公布号 EP1872408(A4) 申请公布日期 2009.11.18
申请号 EP20060740683 申请日期 2006.04.07
申请人 LOCKHEED MARTIN CORPORATION 发明人 ZHANG, AN-PING;KRETCHMER, JAMES;KAMINSKY, EDMUND
分类号 H01L29/778;H01L21/027;H01L31/0328;H01L31/0336;H01L31/072;H01L31/109 主分类号 H01L29/778
代理机构 代理人
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