在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，衬底表面生长有ZnO晶体；所述的ZnO晶体沿垂直于硅衬底方向生长并呈六角纤锌矿尖锥型结构，长度为5～10μm，底端直径为3～6μm，尖端为100～150nm；制备方法采用醋酸锌水溶液加入氨水置于高压釜中反应，得到ZnO锥状纳米结构。本发明具有成本低，生长温度低，重复性高等优点，且生成的ZnO锥状纳米结构具有纳米级的尖端，底部是六角状结构，其独特的构造，使得它可用于高效的场发射材料，且可用于制作各种精密仪器的探头；也可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的发展。

主权项

1、一种在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料，包括衬底，其特征在于该衬底采用硅片，其表面生长有ZnO晶体；所述的ZnO晶体沿垂直于硅衬底方向生长。