一种具有电子俘获擦除状态的非易失半导体存储单元及其操作方法

摘要

本发明的一较佳实施例提供了一种俘获式非易失存储单元，其包括有一个其上被形成有一N+源极与一N+漏极的P型半导体基底、一个被形成在该源极与该漏极之间的沟道。一个第一绝缘层、一个非传导式电荷陷获层、一个第二绝缘层、以及一个栅极被依序形成在该沟道之上。当非易失存储单元被擦除之时，陷获层会储存一定量的电子。

主权项

1、一种俘获式非易失存储单元，包括：一个P型半导体基底，该P型半导体基底包括有一个源极、一个与该源极分隔的漏极、以及一个被形成在该源极与该漏极之间的沟道；一个覆盖该沟道的隧道层，其中，该隧道层包括有用于电子与空穴的能垒；一个第一绝缘层，其覆盖住该隧道层，其中，该隧道层的能垒低于该第一绝缘层的能垒；一个非传导式电荷陷获层，其覆盖住该第一绝缘层；一个第二绝缘层，其覆盖住该非传导式电荷陷获层，该非传导式电荷陷获层包括有一个邻近于该漏极的第一电荷储存区和一个邻近于该源极的第二电荷储存区；及一个栅极，其覆盖住该第二绝缘层；在擦除状态时，该第一电荷存储区或第二电荷存储区接收并保持电子；在编程状态时，该第一电荷存储区或第二电荷存储区接收并保持空穴或拉出电子。