利用薄膜SOI的图像传感器

摘要

与一个或多个实施例的图像传感器相关的系统和方法包括：使供体半导体晶片经受离子注入过程以在供体半导体晶片上形成半导体薄膜的剥离层，通过电解在剥离层与绝缘体衬底之间形成阳极接合；从供体半导体晶片分离剥离层以将剥离层转移到绝缘体衬底；以及形成邻近剥离层的多个图像传感器部件。通过电解形成阳极接合可包括向绝缘体结构以及附连到供体半导体晶片的剥离层施加热、压力和电压。图像传感器器件包括绝缘体结构、半导体薄膜、它们之间的阳极接合以及多个图像传感器部件。半导体薄膜优选地包括基本上单晶的供体半导体晶片的剥离层。

主权项

1.一种形成图像传感器的方法，所述方法包括：形成供体半导体晶片的剥离层，其中形成所述剥离层包括使所述供体半导体晶片经受离子注入过程；在所述剥离层与绝缘体衬底之间形成阳极接合；从所述供体半导体晶片分离所述剥离层，从而暴露至少一个解理面；以及形成邻近所述剥离层的多个图像传感器部件。