| 发明名称 | 金属氧化物半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述衬底表面具有栅极，所述栅极表面具有硬掩膜层；在所述栅极侧壁表面沉积氧化硅层；去除所述硬掩膜层；在所述衬底和栅极表面沉积氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层和氧化硅层形成侧壁间隔壁。本发明在所述栅极的侧壁形成侧壁保护层，该保护层起到了隔离腐蚀液与栅极的作用，从而避免了瓶颈现象的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN100561673C | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200610147812.4 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 朱峰;张海洋;陈海华;黄怡 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述衬底表面具有栅极，所述栅极表面具有掩膜层；在所述栅极侧壁表面沉积氧化硅层；在所述沉积氧化硅层后，去除所述掩膜层；在所述衬底和栅极表面沉积氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层和氧化硅层形成侧壁间隔壁。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||