发明名称 |
一种制备纳米碳化硅的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种制备纳米碳化硅的方法。所述的纳米碳化硅的制备方法步骤为:1)去除植物棉中的杂物;2)将分析纯硅粉放入石墨坩埚中,再将经步骤1)处理过的植物棉放在硅粉之上,并将坩埚加盖;3)将装好样的坩埚放入高温真空炉中,抽真空至10<sup>-3</sup>Pa后升温至600℃-1000℃,保温30分钟炭化,再升温至1400℃-1500℃保温150-180分钟硅化,然后随炉降至常温,即制得纳米碳化硅,碳化硅粒径在3-15nm。本发明的特点是以植物棉尤其是废旧棉为原料,在真空条件下炭化→硅化植物棉,制备出纳米碳化硅。本技术可应用于其它动、植物纤维,尤其是废旧的动、植物纤维制备纳米碳化硅,工艺较为简单。 |
申请公布号 |
CN100560486C |
申请公布日期 |
2009.11.18 |
申请号 |
CN200710052859.7 |
申请日期 |
2007.07.30 |
申请人 |
中国地质大学(武汉) |
发明人 |
张德;徐建梅;苏言杰 |
分类号 |
C01B31/36(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/36(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 |
代理人 |
张安国 |
主权项 |
1、纳米碳化硅的制备方法,其特征是,以植物棉为碳源,分析纯硅粉为硅源,按照下列步骤进行:1)、去除植物棉中的杂物;2)、将分析纯硅粉放入石墨坩埚中,再将经步骤1)处理过的植物棉放在硅粉之上,并将坩埚加盖;3)、将装好样的坩埚放入高温真空炉中,抽真空至10-3Pa后升温至600℃-1000℃,保温30分钟炭化,再升温至1400℃-1500℃保温150-180分钟硅化,然后随炉降至常温,即制得纳米碳化硅,碳化硅粒径在3-15nm。 |
地址 |
430074湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号 |