发明名称 一种制备纳米碳化硅的方法
摘要 本发明提供了一种制备纳米碳化硅的方法。所述的纳米碳化硅的制备方法步骤为:1)去除植物棉中的杂物;2)将分析纯硅粉放入石墨坩埚中,再将经步骤1)处理过的植物棉放在硅粉之上,并将坩埚加盖;3)将装好样的坩埚放入高温真空炉中,抽真空至10<sup>-3</sup>Pa后升温至600℃-1000℃,保温30分钟炭化,再升温至1400℃-1500℃保温150-180分钟硅化,然后随炉降至常温,即制得纳米碳化硅,碳化硅粒径在3-15nm。本发明的特点是以植物棉尤其是废旧棉为原料,在真空条件下炭化→硅化植物棉,制备出纳米碳化硅。本技术可应用于其它动、植物纤维,尤其是废旧的动、植物纤维制备纳米碳化硅,工艺较为简单。
申请公布号 CN100560486C 申请公布日期 2009.11.18
申请号 CN200710052859.7 申请日期 2007.07.30
申请人 中国地质大学(武汉) 发明人 张德;徐建梅;苏言杰
分类号 C01B31/36(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I 主分类号 C01B31/36(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人 张安国
主权项 1、纳米碳化硅的制备方法,其特征是,以植物棉为碳源,分析纯硅粉为硅源,按照下列步骤进行:1)、去除植物棉中的杂物;2)、将分析纯硅粉放入石墨坩埚中,再将经步骤1)处理过的植物棉放在硅粉之上,并将坩埚加盖;3)、将装好样的坩埚放入高温真空炉中,抽真空至10-3Pa后升温至600℃-1000℃,保温30分钟炭化,再升温至1400℃-1500℃保温150-180分钟硅化,然后随炉降至常温,即制得纳米碳化硅,碳化硅粒径在3-15nm。
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