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Instalación de crecimiento de cristales, en particular instalación de crecimiento de cristales semiconductores, con un crisol (11, 21) que puede ser calentado para una masa fundida (13, 23) y una disposición de bobinas colocada coaxial con el crisol para generar un campo magnético en la masa fundida (13, 23), comprendiendo la disposición de bobinas tres o más bobinas, que están colocadas unas sobre otras en dirección axial y que en cada caso están atacadas con una tensión alterna, estando la tensión alterna aplicada a una bobina desplazada en fase con respecto a la tensión alterna aplicada a la bobina adyacente, caracterizada porque las bobinas están formadas por un cuerpo cilíndrico hueco (1) de un material eléctricamente conductor, formando éste mediante una ranura múltiples veces circular (2) un camino de corriente circular de una sola capa en forma de espiral, el cual mediante puntos de contacto (3, 4, 5, 6) que pueden conectarse al suministro de tensión está subdividido en secciones, que en cada caso forman una bobina. |
