| 摘要 |
본 발명의 게이트 사이드 팬아웃 영역 회로구조는, 게이트가 제 1입력단(A)에 연결되고, 드레인과 소스가 각각 제 2입력단(B)과 제Ｎ단계 게이트 스캔라인(N)에 연결되는 제 1트랜지스터(T1); 제 1단자(1)가 제 1입력단(A)에 연결되고, 제 2단자(2)가 제 2입력단(B)에 연결되며, 제 3단자(3)가 제 N+1단계 게이트 스캔라인(N+1)에 연결되는 제 1회로모듈; 제 1단자(1)와 제 2단자(2)가 제 2입력단(B)에 연결되고, 제 3단자(3)가 제 N단계 게이트 스캔라인(N)에 연결되는 제 2회로모듈; 제 1단자(1)와 제 2단자(2)가 상기 제 2입력단(B)에 연결되고, 제 3단자(3)가 상기 제 N+1단계 게이트 스캔라인(N+1)에 연결되는 제 3회로모듈; 을 포함하고; 주기적 사각파는 상기 제 1입력단(A)으로부터 입력되고, 게이트 스캔신호는 상기 제 2입력단(B)으로부터 입력된다. 상기 회로구조는 G-COF칩 원가를 대폭적으로 낮출 수 있다. |
