一种限制耦合变压器推拉式功率转换电路的漏源电压的装置和方法

摘要

一种用于限制耦合变压器推拉式整流器的开关场效应晶体管(Field-Effect Transistor switching，switching FET)的最大漏源电压(drain-source voltage，简写VDS)的电路，该整流器具有一个最大DC供应电压V_{IN_MAX}。所述VDS被推拉式晶体管和整流器电路的漏电感加强。所述限制电路桥连接开关晶体管的漏极并进一步包括一系列的相互连接的两个对立的稳压二极管(Zener diode)，所述每一个稳压二极管都具有一个稳压电压V_zx(Zener voltage)。本发明适用于N沟槽场效应晶体管和P沟槽场效应晶体管。设定V_zx略微大于或等于2×V_{IN_MAX}，因此两个对立的稳压二极管把最大VDS钳位在大约V_{IN_MAX}+1/2V_zx的数值处。所述具有完整VDS钳位的功率开关装置包括：一个开关晶体管，所述开关晶体管具有一个源极引线、一个漏极引线和一个栅极引线；一个稳压二极管，所述稳压二极管具有一个稳压电压V_zx并且具有第一引线和第二引线，所述稳压二极管的第二引线进一步连接所述漏极引线。

主权项

1、一种用于限制耦合变压器推拉式整流器的主要开关场效应晶体管(switching FET)的最大漏源电压(VDS)的电路，所述整流器具有一个最大DC供应电压VIN_MAX，所述VDS被推拉式晶体管和整流器电路的漏电感加强，所述用于限制最大VDS的电路包括一个电路桥连接主要开关FET的漏极，其特征在于，所述桥连接电路进一步包括一系列的相互连接的两个对立的稳压二极管(Zener diode)，所述每一个稳压二极管都具有一个稳压电压Vzx(Zener voltage)。