| 发明名称 | GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种GaAs基InAs/GaSb超晶格1至3微米波段红外光电探测器，该红外光电探测器由自下而上的GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlSb成核层、GaSb下缓冲层、AlSb/GaSb超晶格层、GaSb上缓冲层、InAs/GaSb超晶格层、GaSb盖层和钛金合金电极构成。本发明同时公开了一种GaAs基InAs/GaSb超晶格1至3微米波段红外光电探测器的制作方法。利用本发明，在GaAs衬底上生长出了高质量的GaSb缓冲层，并在该GaSb缓冲层上生长出了InAs/GaSb超晶格，进而能够制作出暗电流低，成本低廉的红外探测器。 | ||
| 申请公布号 | CN101576413A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200810106276.2 | 申请日期 | 2008.05.09 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 汤宝;周志强;郝瑞亭;任正伟;徐应强;牛智川 |
| 分类号 | G01J5/00(2006.01)I | 主分类号 | G01J5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种GaAs基InAs/GaSb超晶格1至3微米波段红外光电探测器，其特征在于，该红外光电探测器由自下而上的GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlSb成核层、GaSb下缓冲层、AlSb/GaSb超晶格层、GaSb上缓冲层、InAs/GaSb超晶格层、GaSb盖层和钛金合金电极构成。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||