| 发明名称 | 层间介质层化学机械研磨方法 | ||
| 摘要 | 一种层间介质层的化学机械研磨方法，包括：在半导体基底上形成具有目标厚度的层间介质层；在所述层间介质层上形成牺牲层，所述牺牲层的硬度大于所述层间介质层的硬度；对所述牺牲层执行化学机械研磨操作，去除所述牺牲层时，获得满足产品要求的层间介质层。可增强无研磨终止层的研磨操作的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN101577245A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200810105922.3 | 申请日期 | 2008.05.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 李健 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1.一种层间介质层的化学机械研磨方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成具有目标厚度的层间介质层；在所述层间介质层上形成牺牲层，所述牺牲层的硬度大于所述层间介质层的硬度；对所述牺牲层执行化学机械研磨操作，去除所述牺牲层时，获得满足产品要求的层间介质层。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||