发光二极管的结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的结构，其中包括N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层，所述N型GaN与所述多量子阱层之间还间隔有多量子阱缓冲层，所述多量子阱缓冲层包含有一个或多个InGaN/GaN的复合结构，所述InGaN/GaN的复合结构中InGaN层的厚度为60～500，GaN层的厚度为10～50。本发明还公开了一种上述发光二极管的结构的制作方法，包括交替生长InGaN层和GaN层，而构成具有复合结构的多量子阱缓冲层。本发明通过上述方法，经过简单的步骤制作出具有多量子阱缓冲层的发光二极管的结构，非常易于使用，并且制作的发光二极管的晶体质量得到了提高，从而提高了发光二极管的出光效率和发光强度。

主权项

1.一种发光二极管的结构，其中包括N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层，所述N型GaN层与所述多量子阱层之间还间隔有多量子阱缓冲层，所述多量子阱缓冲层包含有一个或多个InGaN/GaN的复合结构，每个InGaN/GaN的复合结构都包括一层位于下面的InGaN层和一层位于上面的GaN层，所述InGaN/GaN的复合结构中，所述InGaN层的厚度大于所述GaN层的厚度，所述InGaN层中In的掺杂百分比含量低于所述多量子阱的阱层中In的掺杂百分比含量，其特征在于，所述InGaN/GaN的复合结构中InGaN层的厚度为GaN层的厚度为所述InGaN层中掺杂有Si元素。