| 发明名称 | 形成氮化硅层于栅极氧化物膜上的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露形成氮化硅层于栅极氧化物膜上的制备方法。该栅极氧化物膜上的氮化硅层为半导体元件的栅极结构的一部分，该制备方法包含进行氮化工艺以形成氮化硅层于半导体基板的一栅极氧化物膜上，再于退火室内加热该半导体基板，施以两阶段的退火动作。其一，在该退火室内将该半导体基板曝露于氮气(N<sub>2</sub>)中，再于该退火室内将该半导体基板曝露于氮气(N<sub>2</sub>)与氧化物亚氮(N<sub>2</sub>O)的混合气体中。 | ||
| 申请公布号 | CN101577225A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200810131133.7 | 申请日期 | 2008.07.30 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 巫政达;庄达淯;陈彦达;林俪涵 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)N | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1、一种形成氮化硅层于栅极氧化物膜上的制备方法，所述栅极氧化物膜上的氮化硅层为半导体元件的栅极结构的一部分，所述制备方法包含下列步骤：进行氮化工艺以形成氮化硅层于半导体基板的栅极氧化物膜上；在退火室中加热所述半导体基板；在所述退火室内将所述半导体基板曝露于氮气中；以及在所述退火室内将所述半导体基板曝露于氮气与氧化亚氮的混合气体中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园 | ||