| 发明名称 | 具有直径控制的接触的多位相变随机存取存储器(PRAM)及其制造和编程方法 | ||
| 摘要 | 一种相变随机存取存储器(PRAM)器件，包括：硫族材料的化合物元件，该硫族材料的化合物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料。第一接触，连接到硫族材料的化合物元件的第一区域，并具有第一横截面。第二接触，连接到硫族材料的化合物元件的第二区域，并具有第二横截面。硫族材料的化合物材料的第一可编程体积限定在硫族材料的化合物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态可以根据与第一接触相关联的阻抗来编程。硫族材料的化合物材料的第二可编程体积限定在硫族材料的化合物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态可以根据与第二接触相关联的第二阻抗来编程。 | ||
| 申请公布号 | CN100559605C | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200610172083.8 | 申请日期 | 2006.12.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑元哲;金亨俊;李世昊;朴哉炫;郑椙旭 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种相变随机存取存储器PRAM器件，包括：硫族材料的化合物元件，该硫族材料的化合物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料；第一接触，连接到硫族材料的化合物元件的第一区域，并具有第一横截面；以及第二接触，连接到硫族材料的化合物元件的第二区域，并具有第二横截面，其中：硫族材料的化合物材料的第一可编程体积限定在硫族材料的化合物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态根据与第一接触相关联的阻抗是可编程的；以及硫族材料的化合物材料的第二可编程体积限定在硫族材料的化合物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态根据与第二接触相关联的第二阻抗是可编程的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||