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发明名称
マイクロストラクチャ向上型吸収感光装置
摘要
【課題】 マイクロストラクチャを使用して半導体内のフォトンの吸収を向上させる技術が記載される。【解決手段】 該マイクロストラクチャは柱体及び/又は穴等であって、実効的に実効吸収長を増加させてその結果フォトンの吸収を一層大きくしている。シリコンフォトダイオード及びシリコンアバランシェフォトダイオードに対する吸収向上のためにマイクロストラクチャを使用することは、約90%以上の量子効率で、且つ850nmの波長を有するフォトンにおいて10Gb/sを越える帯域幅とさせる。【選択図】 図1
申请公布号
JP2016526295(A)
申请公布日期
2016.09.01
申请号
JP20160515097
申请日期
2014.05.22
申请人
ワン, シー−ユアンWang, Shih−Yuan;ワン, シー−ピンWang, Shih−Ping
发明人
ワン, シー−ユアン;ワン, シー−ピン
分类号
H01L31/10;H01L31/107
主分类号
H01L31/10
代理机构
代理人
主权项
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