发明名称 催化剂辅助化学气相沉积装置及使用其之沉积方法
摘要 一种催化剂辅助之化学气相沉积(CECVD)装置及一沉积方法,其中对一催化剂线路施加一张力,藉以防止该催化剂线路不致因热变形而弯垂,并且使用额外气体以防止产生异物。可藉一处理室;一喷洒头,藉以将处理气体引入至处理室内;一可伸张之催化剂线路结构,此者供置于该处理室内,藉以分解自该喷洒头所引入之气体;以及一基板,其上沉积由该催化剂线路结构所分解之气体,来建构该CECVD装置,如此将张力施加于催化剂线路上,以防止该催化剂线路不致因热变形而弯垂,并且利用额外气体以防止产生异物,藉此消除出现一基板之非均匀温度以及非均匀薄膜成长,并且共伴地强化该催化剂线路的耐固性。
申请公布号 TWI316971 申请公布日期 2009.11.11
申请号 TW095113716 申请日期 2006.04.18
申请人 三星SDI股份有限公司 发明人 康熙哲;古野 和雄;金汉基;金明洙
分类号 C23C16/458;C23C16/455;B01J4/02 主分类号 C23C16/458
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项 一种催化剂辅助化学气相沉积装置,其包含:一真空处理室;一喷洒头,以引入处理气体至该处理室内;一可伸张之催化剂线路结构,此者配置于该处理室内,该催化剂线路结构包含一催化剂线路和复数个张力器,该等张力器连接于该催化剂线路以及当该催化剂线路分解自该喷洒头所引入之处理气体之时将张力施加于该催化剂线路;以及一基板,其上沉积由该催化剂线路结构所分解之气体。
地址 南韩