半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括衬底(2)、形成在衬底(2)中的元件(10、20、30)、形成在衬底(2)上的层间电介质膜(51、54、57、60)、布线层(52、55、58)和电极焊盘(62)。使布线层(52，55，58)形成为多层，并通过层间电介质膜(51、54、57、60)使其电连接到所述元件(10、20、30)。将电极焊盘(62)电耦合到布线层(52、55、58)的顶部布线层(58)。将顶部布线层(58)配置为兼作设置在电极焊盘(62)之下的电极层的顶部布线-电极层(58)。将顶部布线-电极层(58)的电极层设置在半导体元件(10、20、30)的正上方。使电极焊盘(62)和电极层形成为多层，以形成焊盘结构。

主权项

1、一种半导体器件，包括：半导体衬底(2)；形成在所述半导体衬底(2)中的半导体元件(10、20、30)；设置在所述半导体衬底(2)上的层间电介质膜(51、54、57、60)；多个布线层(52、55、58)，通过所述层间电介质膜使其彼此分开，并且通过所述层间电介质膜(51、54、57、60)将其电耦合到所述半导体元件(10、20、30)；以及电耦合到所述多个布线层(52、55、58)中的顶部布线层(58)的键合焊盘(62)，将所述焊盘(62)配置为与金属构件(70)键合，用于将所述半导体元件(10、20、30)电耦合到外部器件，其中对所述顶部布线层(58)进行配置使其成为顶部布线-电极层(58)，该顶部布线-电极层(58)兼作设置在所述键合焊盘(62)之下的电极层，其中利用具有第一杨氏模量值的第一材料形成所述顶部布线-电极层(58)，其中利用具有小于所述第一杨氏模量值的第二杨氏模量值的第二材料形成所述键合焊盘(62)；其中将所述顶部布线-电极层(58)设置在所述半导体元件(10、20、30)的正上方，其中使所述键合焊盘(62)和所述电极层形成为多层，以形成焊盘结构，并且其中所述层间电介质膜(51、54、57、60)包括绝缘膜(60)，所述绝缘膜(60)包围所述顶部布线-电极层(58)，以覆盖所述顶部布线-电极层(58)的侧壁，其中所述金属构件(70)为键合引线(70)，其中设置所述键合焊盘(62)的厚度，从而在将所述键合引线(70)引线键合到所述键合焊盘(62)之后，使所述键合焊盘(62)保持置于所述键合引线(70)和所述顶部布线-电极层(58)之间，其中使所述顶部布线-电极层(58)的外边缘与所述键合引线(70)和所述键合焊盘(62)之间的接触面(71)的外边缘在平行于所述接触面(71)的方向上至少相隔1μm。