具有高源极耦合比的快闪记忆晶胞系统

摘要

本发明是有关于一种具有高源极耦合比的快闪记忆晶胞系统，其包括至少一传统的浮动栅极元件，具有一浮动栅极、一源极及一漏极。此浮动栅极形成于一第一接合面之上，利用由源极往浮动栅极注入电子的方式为此浮动栅极充电，且在浮动栅极上方沉积至少一第一介电层以形成一第二接合面。至少一第一多晶硅层沉积于此第一介电层上方，此第一多晶硅层电性连结到源极。电子穿隧通过第二接合面到浮动栅极以为此浮动栅极充电，因而提高了此浮动栅极的源极耦合比及电荷的储存效率。

主权项

1、一种具有高源极耦合比的可微缩化分栅式快闪记忆晶胞系统，其特征在于其包括：一浮动栅极氧化层，位于一基底上；一源极及一漏极，分别位于该浮动栅极氧化层两侧的该基底中；一浮动栅极，位于所述的浮动栅极氧化层之上；一源极栅氧化层，位于所述的浮动栅极之上；以及一源极栅多晶硅层，位于所述的源极栅氧化层之上，所述的源极栅多晶硅层与所述的源极电性连接，当施加一高电压于所述的源极时，藉以使电子可自所述的源极栅多晶硅层穿遂所述的源极栅氧化层注入至所述的浮动栅极。