场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有使沟道传导的载流子的移动度比以前的有机TFT大的值的TFT制造方法。场效应晶体管的制造方法的特征是，在衬底上设置形成图形的栅电极，在上述衬底上和上述栅电极上设置栅绝缘膜，在上述栅绝缘膜上分开设置源电极和漏电极，在上述源电极和上述漏电极之间设置应成为沟道的区域，该区域与上述源电极或上述漏电极中的任一方的边界线是直线状，上述该区域和上述漏电极或上述源电极中的另一方的边界线是非直线状，而且，该边界线是连续或不连续的形状，该边界部分有多个凹部，准备上述该区域表面有亲水性、上述该区域的周围区域具有疏水性的构件，向上述该区域供给含有半导体有机分子的溶液，并干燥上述溶液。

主权项

1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征是，在衬底上设置形成图形的栅电极，在上述衬底上和上述栅电极上设置栅绝缘膜，在上述栅绝缘膜上分开设置源电极和漏电极，在上述源电极和上述漏电极之间有应成为沟道的区域，上述应成为沟道的区域与上述源电极或上述漏电极的一方的第一边界线是直线状，上述应成为沟道的区域与上述漏电极或上述源电极的另一方的第二边界线是非直线状，而且，上述第二边界线是连续的或不连续的，上述应成为沟道的区域与上述漏电极或上述源电极的另一方的边界部分有多个凹部，使上述应成为沟道的区域表面有比其它区域高的亲水性、使上述应成为沟道的区域的周围区域有比上述应成为沟道的区域高的疏水性，向上述应成为沟道的区域供给含有半导体有机分子的溶液，并干燥上述溶液。