制造非易失性存储器器件的方法

摘要

一种方法使用半导体衬底(12)形成非易失性存储器器件(10)。形成覆盖半导体衬底的电荷储存层(14)并且形成覆盖电荷储存层(14)的栅极材料层以形成控制栅电极(16)。保护层(18、20)覆盖栅极材料层。掺杂剂被注入到半导体衬底(12)中并且在控制栅电极(16)的至少一侧与控制栅电极自对准，以在控制栅电极(16)的相对侧、在半导体衬底中形成源极(34)和漏极(36)。保护层防止掺杂剂渗透到控制栅电极中。移除覆盖栅极材料层的保护层。制作到控制栅电极(16)、源极(34)和漏极(36)的电接触(42、44、和48)。在一种形式中，在存储器器件中还提供选择栅极(28)。

主权项

1.一种用于使用半导体衬底形成非易失性存储器器件的方法，包括：形成覆盖所述半导体衬底的电荷储存层；形成覆盖所述电荷储存层的栅极材料层，以形成控制栅电极；形成覆盖所述栅极材料层的保护层；在所述控制栅电极的至少一侧上与所述控制栅电极自对准地将掺杂剂注入到所述半导体衬底中，所述掺杂剂在所述控制栅电极相对侧的所述半导体衬底中形成源极和漏极，所述保护层防止所述掺杂剂渗透到所述控制栅电极中；移除覆盖所述栅极材料层的所述保护层；以及形成到所述控制栅电极、所述源极和所述漏极的电接触。