| 发明名称 | 击穿电压的测试结构、应用该测试结构的分析方法和晶圆 | ||
| 摘要 | 一种击穿电压的测试结构、应用该测试结构的分析方法和晶圆。所述测试结构包括：至少两个金属互连线的梳状测试电路，其中，每个梳状测试电路中的金属线间距相等，各个梳状测试电路的金属线间距互不相等，所述金属线间距为梳状测试电路中任意两条相邻金属线间的距离。所述分析方法包括：测量形成于晶圆上的各个芯片的测试结构的每个梳状测试电路的击穿电压；获取各个芯片的梳状测试电路的击穿电压随金属线间距变化的趋势；从各个芯片的梳状测试电路的击穿电压随金属线间距变化的趋势，分析导致晶圆的击穿电压分布不均匀的原因。应用本发明可以快速地分析出导致晶圆的层间介质的击穿电压分布不均匀的原因。 | ||
| 申请公布号 | CN101577265A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200810105903.0 | 申请日期 | 2008.05.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 甘正浩;吴永坚 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴靖靓;李 丽 |
| 主权项 | 1.一种击穿电压的测试结构，其特征在于，包括：至少两个金属互连线的梳状测试电路，其中，每个梳状测试电路中的金属线间距相等，各个梳状测试电路的金属线间距互不相等，所述金属线间距为梳状测试电路中任意两条相邻金属线间的距离。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||