一种锗掺杂的AZO靶材及其制备方法

摘要

本发明涉及一种锗掺杂的AZO靶材，该靶材中含有重量百分比为1-10％的氧化铝、0.1-5％的氧化锗，以及余量的氧化锌。本发明还提供了该锗掺杂的AZO靶材的制备方法，包含步骤：S1，按事先确定好的比例分别称取原料氧化锌、氧化铝、氧化锗粉末，加入粘结剂，加水混合均匀；S2，将混合物干燥后，将粉末进行压制成型，形成预先确定的形状和强度的坯体；S3，将坯体在常压和常气氛下在进行烧结，烧结温度为1200-1600℃。采用本发明所提供的靶材制得的透明导电膜具有透光率高、电阻率低，薄膜附着力好，致密完整，稳定性好等特点。

主权项

1、一种锗掺杂的AZO靶材，其特征在于，该靶材中含有重量百分比为1-10％的氧化铝、0.1-5％的氧化锗，以及余量的氧化锌。