| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，在所述第一区域和第二区域中各至少具有一个沟槽；在所述第一区域和第二区域上形成第一应力层，所述第一应力层至少填满所述第一区域中的沟槽；去除第二区域的第一应力层；在所述第一区域的第一应力层和第二区域上形成第二应力层，所述第二应力层至少填满所述第二区域中的沟槽；平坦化所述第二应力层和第一应力层，去除所述第一区域和第二区域上的第一应力层和第二应力层。本发明还提供一种浅沟槽隔离结构。本发明能够同时提高形成NMOS和PMOS的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101577252A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200810105933.1 | 申请日期 | 2008.05.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 王国华;吴汉明 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1、一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，在所述第一区域和第二区域中各至少具有一个沟槽；在所述第一区域和第二区域上形成第一应力层，所述第一应力层至少填满所述第一区域中的沟槽；去除第二区域的第一应力层；在所述第一区域的第一应力层上和第二区域形成第二应力层，所述第二应力层至少填满所述第二区域中的沟槽；通过平坦化工艺去除部分第二应力层和部分第一应力层，保留所述第一区域的沟槽中的第一应力层和第二区域的沟槽中的第二应力层；其中，当所述第一区域用于形成PMOS或NMOS器件时，所述第一应力层分别为压应力膜或张应力膜；当所述第二区域用于形成PMOS或NMOS器件时，所述第二应力层分别为压应力膜或张应力膜。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||