发明名称 层间介质层的平坦化方法及接触孔的形成方法
摘要 本发明公开了一种层间介质层的平坦化方法,包括步骤:提供衬底,且所述衬底上已具有栅极结构;在所述衬底上进行高密度等离子体化学气相沉积,形成第一层间介质层,且所述第一层间介质层的厚度大于所述栅极结构的高度;对所述第一层间介质层进行平坦化处理;在所述平坦化处理后的衬底上进行等离子体增强化学气相沉积,形成第二层间介质层。本发明还公开了一种相应的接触孔的形成方法,采用本发明的层间介质层的平坦化方法及接触孔的形成方法,可以提高层间介质层在晶圆内的平整度,进而使晶圆内的各接触孔的形成质量及一致性得到明显的改善,提高了生产的成品率。
申请公布号 CN101577244A 申请公布日期 2009.11.11
申请号 CN200810105899.8 申请日期 2008.05.05
申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 郑春生;刘明源;蔡明
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 董立闽;李 丽
主权项 1、一种层间介质层的平坦化方法,其特征在于,包括步骤:提供衬底,且所述衬底上已具有栅极结构;在所述衬底上进行高密度等离子体化学气相沉积,形成第一层间介质层,且所述第一层间介质层的厚度大于所述栅极结构的高度;对所述第一层间介质层进行平坦化处理;在所述平坦化处理后的衬底上进行等离子体增强化学气相沉积,形成第二层间介质层。
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