发明名称 |
层间介质层的平坦化方法及接触孔的形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种层间介质层的平坦化方法,包括步骤:提供衬底,且所述衬底上已具有栅极结构;在所述衬底上进行高密度等离子体化学气相沉积,形成第一层间介质层,且所述第一层间介质层的厚度大于所述栅极结构的高度;对所述第一层间介质层进行平坦化处理;在所述平坦化处理后的衬底上进行等离子体增强化学气相沉积,形成第二层间介质层。本发明还公开了一种相应的接触孔的形成方法,采用本发明的层间介质层的平坦化方法及接触孔的形成方法,可以提高层间介质层在晶圆内的平整度,进而使晶圆内的各接触孔的形成质量及一致性得到明显的改善,提高了生产的成品率。 |
申请公布号 |
CN101577244A |
申请公布日期 |
2009.11.11 |
申请号 |
CN200810105899.8 |
申请日期 |
2008.05.05 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
郑春生;刘明源;蔡明 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
董立闽;李 丽 |
主权项 |
1、一种层间介质层的平坦化方法,其特征在于,包括步骤:提供衬底,且所述衬底上已具有栅极结构;在所述衬底上进行高密度等离子体化学气相沉积,形成第一层间介质层,且所述第一层间介质层的厚度大于所述栅极结构的高度;对所述第一层间介质层进行平坦化处理;在所述平坦化处理后的衬底上进行等离子体增强化学气相沉积,形成第二层间介质层。 |
地址 |
100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 |