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发明名称
Improved selectivity in a xenon difluoride etch process
摘要
申请公布号
GB0916871(D0)
申请公布日期
2009.11.11
申请号
GB20090016871
申请日期
2009.09.25
申请人
POINT 35 MICROSTRUCTURES LIMITED
发明人
分类号
主分类号
代理机构
代理人
主权项
地址
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