| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，即使使用ZnO半导体膜，并且对于源电极和漏电极使用其中添加n型或p型杂质的ZnO膜也不会产生缺陷或故障。该半导体器件包含：通过使用氧化硅膜或氧氮化硅膜在栅电极之上形成的栅绝缘膜、在栅绝缘膜之上的Al膜或Al合金膜、在Al膜或Al合金膜之上的其中添加n型或p型杂质的ZnO膜、以及在其中添加n型或p型杂质的ZnO膜和栅绝缘膜之上的ZnO半导体膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101577231A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200910129859.1 | 申请日期 | 2006.11.13 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 秋元健吾 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦 晨 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括沟道形成区域和与沟道形成区域相邻的栅绝缘膜，所述方法包括：通过使用微波形成栅绝缘膜，其中，所述沟道形成区域包含氧化物半导体材料。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||