| 发明名称 | 发光二极管封装、发光二极管系统及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管封装、发光二极管系统及其制造方法。在形成LED半导体器件的方法中和在LED半导体器件中，在衬底上设置LED。在LED上设置第一密封剂材料层，该第一密封剂材料层被首先进行退火。在被首先进行退火的第一密封剂材料层上设置发光转换材料层，第一密封剂材料层和发光转换材料层被进行第二退火。 | ||
| 申请公布号 | CN101577303A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200910137124.3 | 申请日期 | 2009.05.07 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金维植 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种形成LED半导体器件的方法，包括：在衬底上设置LED；在所述LED上设置第一密封剂材料层；对所述第一密封剂材料层进行第一退火；在首先被退火的第一密封剂材料层上设置发光转换材料层；以及对所述第一密封剂材料层和所述发光转换材料层进行第二退火。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||