发明名称 LED芯片表面粗糙度的识别和分类方法
摘要 本发明公开了一种LED芯片表面粗糙度的识别和分类方法,该方法包括以下步骤:(1)将LED芯片放入所述显微镜下观察到所述LED芯片的P电极区域和N电极区域,并拍显微镜像;(2)利用所述灰度识别系统对所述显微镜像中所述LED芯片的P电极区域和N电极区域进行灰度识别,并输出灰度值;(3)将所测的LED芯片分成四类;(4)在需要进行显微镜下的操作时,将按步骤(3)分类后的相同类别的LED芯片,作为同一批次进行流水作业。按照本发明的方法分类出的LED芯片在进行自动显微镜下作业时,可以很顺畅准确的被识别出来,适用于表面粗糙度不同的LED芯片的分类。
申请公布号 CN100559563C 申请公布日期 2009.11.11
申请号 CN200710093913.2 申请日期 2007.06.29
申请人 上海蓝光科技有限公司 发明人 姜森来;梁国荣;李智武
分类号 H01L21/66(2006.01)I;G01B11/30(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 丁纪铁
主权项 1、一种LED芯片表面粗糙度的识别和分类方法,该方法包括一带摄像功能的显微镜和灰度识别系统,其特征在于,它包括以下步骤:(1)将LED芯片放入所述显微镜下观察到所述LED芯片的P电极区域和N电极区域,并拍显微镜像,所述显微镜是型号为LV150的尼康显微镜,且显微镜的照射灯光调节为10-50刻度范围内;(2)利用所述灰度识别系统对所述显微镜像中所述LED芯片的P电极区域和N电极区域进行灰度识别,并输出灰度值;(3)将所测的LED芯片按下述标准分成四类:第一类,LED芯片的N电极区域和P电极区域灰度值大于90;第二类,LED芯片的N电极区域和P电极区域灰度值小于70;第三类,LED芯片的N电极区域灰度值小于70,而P电极区域灰度值大于90;第四类,LED芯片的N电极区域灰度值大于90,而P电极区域灰度值小于70;(4)在需要进行自动化的显微镜下的操作时,将按步骤(3)分类后的相同类别的LED芯片,作为同一批次进行流水作业。
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