| 主权项 |
一种连接孔结构(via structure)，用于一半导体产品中的内连线(interconnection)，包含有：一底金属层(bottom metal layer)，代表该半导体产品中的一连接层；一绝缘层，于该底金属层上，该绝缘层包含有一穿孔(via hole)，该穿孔曝露该底金属层的一部份，该穿孔具有一侧壁以及一底部；一第一障壁金属层(barrier metal layer)，于该穿孔之该侧壁上，但没有在该穿孔之该底部；一金属下层(metal under-layer)，于该穿孔之该底部以及该第一障壁金属层上，其中该金属下层包括α相Ta、(110)的W、(111)的Al、以及(110)的TaN0.1；一第二障壁金属层，于该金属下层上；以及一金属填充层(metal fill layer)，于该穿孔中；其中，该金属下层与该第二障壁金属层的晶格常数差(lattice mismatch)大约小于5%。 |
