半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有n型氮化镓系化合物半导体及与该半导体形成欧姆接触之新颖的电极之半导体元件。本发明的半导体元件系具有n型氮化镓系化合物半导体、及与该半导体欧姆接触的电极，该电极系具有与前述半导体接触的TiW合金层。依照较佳态样，上述电极也能兼具接点用电极。依照较佳态样，上述电极系耐热性优良。而且，本发明也提供有上述半导体元件的制造方法。

主权项

一种半导体元件，系包含：n型氮化镓系化合物半导体；以及电极，与前述半导体欧姆接触；其中，前述电极具有接触于前述半导体的TiW合金层；前述TiW合金层的Ti浓度为4wt%以上、70wt%以下；而且前述TiW合金层中的W与Ti的组成比在前述层的厚度方向系大致一定。