被处理体的蚀刻方法

摘要

在具有SiC膜(61)和在其上形成的有机Si类低介电常数膜(62)的构造中，将有机Si类低介电常数膜(62)作为掩膜，通过蚀刻气体的等离子体来蚀刻SiC膜(61)，此时，作为蚀刻气体，使用包含CH₂F₂的气体或者包含CH₃F的气体。

主权项

1.一种被处理体的蚀刻方法，包括：将包含SiC部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiC部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH2F2，被处理体具有在SiC部分上设置的作为绝缘膜的有机Si类低介电常数膜，将该有机Si类低介电常数膜作为掩膜来蚀刻被处理体的SiC部分。