发明名称 薄膜晶体管基板、液晶显示面板及半穿透半反射型液晶显示器的制造方法
摘要 一种薄膜晶体管基板,包含透明基板、至少一薄膜晶体管、绝缘层及像素电极。该薄膜晶体管配置于该透明基板上,并包含闸极绝缘膜。该绝缘层配置于该闸极绝缘膜上,并覆盖该薄膜晶体管,其中该绝缘层具有凹凸表面、接触孔及光穿透区域,且该光穿透区域直接位于该闸极绝缘膜上。该像素电极配置于该绝缘层的凹凸表面及该光穿透区域上,并通过该接触孔电性连接于该薄膜晶体管。
申请公布号 CN100559569C 申请公布日期 2009.11.11
申请号 CN200610001616.6 申请日期 2006.01.18
申请人 胜华科技股份有限公司 发明人 陈泰源;林淑惠;林小萍
分类号 H01L21/84(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I 主分类号 H01L21/84(2006.01)I
代理机构 北京润平知识产权代理有限公司 代理人 周建秋;王凤桐
主权项 1.一种薄膜晶体管基板制造方法,包含下列步骤:提供透明基板;将至少一薄膜晶体管形成于该透明基板上,其中所述薄膜晶体管包含栅极绝缘膜;将绝缘层配置于所述栅极绝缘膜上,并覆盖所述薄膜晶体管;将所述绝缘层图案化而形成凹凸表面结构及接触孔,并定义光穿透区域;以及将像素电极形成于所述绝缘层的凹凸表面及所述光穿透区域上,如此以形成所述薄膜晶体管基板的像素区域,其中所述像素电极通过所述接触孔电性连接于所述薄膜晶体管,位于所述绝缘层的凹凸表面上的像素电极具有类似凹凸表面的外形;其特征在于:在所述绝缘层图案化步骤中同时也形成所述光穿透区域;以及在所述像素电极的形成步骤中同时也将所述像素电极形成于所述栅极绝缘膜上,其中所述光穿透区域上的像素电极直接位于所述栅极绝缘膜上。
地址 中国台湾台中县潭子乡台中加工出口区建国路10号