| 发明名称 | 形成含钴膜的材料以及使用该材料的硅化钴膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种形成含钴膜的材料，其熔点低、可以作为液体进行处理、具有高蒸气压、进而在工业上合成容易且稳定、容易通过CVD(化学气相沉积)法形成良好的含钴膜尤其是良好的硅化钴膜。本发明的形成含钴膜的材料的特征在于，用下述式1的结构表示。Co(R<sup>1</sup><sub>a</sub>C<sub>5</sub>H<sub>(5-a)</sub>)(R<sup>2</sup><sub>b</sub>C<sub>5</sub>H<sub>(5-b)</sub>)…(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN101578390A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200880001981.4 | 申请日期 | 2008.03.07 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 若林正一郎;小林孝充 |
| 分类号 | C23C16/42(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;田 欣 |
| 主权项 | 1.一种形成含钴膜的材料，其特征在于，用下述式1的结构表示，Co(R<sup>1</sup><sub>a</sub>C<sub>5</sub>H<sub>(5-a)</sub>)(R<sup>2</sup><sub>b</sub>C<sub>5</sub>H<sub>(5-b)</sub>)…(1)这里，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>分别独立地为选自氢原子、下述式2和下述式3中的任一种基团，其中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>都为氢原子的情况除外，a和b是满足0＜a+b≤4的整数，<img file="A2008800019810002C1.GIF" wi="734" he="285" />这里，R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>分别独立地为氢原子或碳原子数1～2的烷基，<img file="A2008800019810002C2.GIF" wi="744" he="290" />这里，R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>分别独立地为选自卤素基、碳原子数为1～3的烷基以及碳原子数为1～3的卤代烷基中的任一种基团，其中，R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>都为碳原子数1～3的烷基的情况除外。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||