| 发明名称 | 涂布的基片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种涂布的基片，其含有包括密度为至少1.6g/cm<sup>3</sup>的氢化碳氧化硅的至少一层阻挡层，和至少一层选自铝、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、钛、氧化钛、氮化钛和氮氧化钛的阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN100558940C | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200580025942.4 | 申请日期 | 2005.08.12 |
| 申请人 | 陶氏康宁公司 | 发明人 | M·洛博达;S·斯诺;W·韦德纳;L·赞伯夫 |
| 分类号 | C23C30/00(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C30/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张 钦 |
| 主权项 | 1.一种涂布的基片，其包括：基片；在基片上的第一阻挡层，其中第一阻挡层由密度为至少1.6g/cm3的氢化碳氧化硅组成；和在第一阻挡层上的至少两层交替的缓冲层和阻挡层，其中每一交替的缓冲层由密度小于1.6g/cm3的氢化碳氧化硅组成，和每一交替的阻挡层独立地选自密度为至少1.6g/cm3的氢化碳氧化硅、铝、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、钛、氧化钛、氮化钛和氮氧化钛，条件是至少一层交替的阻挡层选自铝、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、钛、氧化钛、氮化钛和氮氧化钛。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||