| 发明名称 |
低温成长缓冲层之形成方法、发光元件及其制造方法、与发光装置 |
| 摘要 |
一种低温成长缓冲层之形成方法包含下列步骤：将Ga2O3基板放置到MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供一H2环境，并设定缓冲层成长条件，其包含350℃至550℃之环境温度；及将源气体供给至缓冲层成长条件中之Ga2O3基板上以在Ga2O3基板上形成低温成长缓冲层，该源气体包含TMG、TMA及NH3中之两者或更多者。 |
| 申请公布号 |
TWI317178 |
申请公布日期 |
2009.11.11 |
| 申请号 |
TW095111414 |
申请日期 |
2006.03.31 |
| 申请人 |
豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD. 日本;光波股份有限公司 KOHA CO., LTD. 日本 |
发明人 |
牛田泰久;筱田大辅;山崎大辅;平田宏治;池本由平;柴田直树;青木和夫;加锡 安东尼;岛村清史 |
| 分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
周良谋;周良吉 |
| 主权项 |
一种低温成长缓冲层之形成方法，包含下列步骤：将一Ga2O3基板放置于一MOCVD设备中；在该MOCVD设备中提供一H2环境，并设定一缓冲层成长条件，其包含350oC至550oC之一环境温度；及将一源气体供给至该缓冲层成长条件中之该Ga2O3基板上以在该Ga2O3基板上形成该低温成长缓冲层，该源气体包含TMG、TMA及NH3中之两者或更多者。 |
| 地址 |
日本;日本 |
