| 发明名称 |
薄膜电阻及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明揭示一种积体电路之实施例，该积体电路包括一基材，及一矽钨镍薄膜电阻，其形成于该基材上。 |
| 申请公布号 |
TWI317136 |
申请公布日期 |
2009.11.11 |
| 申请号 |
TW095126243 |
申请日期 |
2006.07.18 |
| 申请人 |
三昆半导体公司 |
发明人 |
法宾拉都斯 |
| 分类号 |
H01C17/12;H01L21/822;H01L27/04 |
主分类号 |
H01C17/12 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
龚维智 |
| 主权项 |
一种积体电路，包括：一基材；及一矽钨镍(SiWNi)薄膜电阻，形成于该基材上。 |
| 地址 |
美国 |
