| 发明名称 | 抗等离子体腐蚀的反应室部件、其制造方法以及包含该部件的等离子体反应室 | ||
| 摘要 | 一种用于等离子体反应室的抗等离子体腐蚀的反应室部件，由氧化钇材料和少量掺杂元素制成，其具有小于10欧姆-厘米的电阻率，可以被用作反应室的射频通道。在本发明的另一实施例中，所述反应室部件至少包括连接在一起的第一导电基体及第二导电基体，所述第二导电基体由氧化钇材料和少量掺杂元素经过烧结或热压制成，并具有低于10欧姆-厘米的电阻率。 | ||
| 申请公布号 | CN101577211A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200810037164.6 | 申请日期 | 2008.05.09 |
| 申请人 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 吴万俊;倪国强 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;B01J19/02(2006.01)I;C04B35/505(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;C04B37/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王 洁 |
| 主权项 | 1.一种用于等离子体反应室的抗等离子体腐蚀的反应室部件，其至少包含一表面暴露于所述等离子体反应室内产生的等离子体中，所述反应室部件由氧化钇材料和少量掺杂元素制成，并具有低于10欧姆-厘米的电阻率。 | ||
| 地址 | 201201上海市浦东金桥出口加工区(南区)泰华路188号 | ||