| 发明名称 | 溅射靶、光信息记录介质以及光信息记录介质用薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种溅射靶，其特征在于，由向以SnO<sub>2</sub>为主要成分的In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-ZnO-SnO<sub>2</sub>类复合氧化物中添加Ta、Y中的任何一种或两种元素的氧化物所得的材料组成。本发明涉及一种光信息记录介质用薄膜(特别是用作保护膜)及其制造方法和适用于这些的溅射靶，该光信息记录介质用薄膜的非晶态性稳定，成膜速度快，与记录层的密合性、机械特性优良，且透过率高，此外，由于它由非硫化物类构成，不容易使相邻的反射层、记录层发生老化，由此，本发明的目的在于，提高光信息记录介质的特性及大幅度改善其生产率。 | ||
| 申请公布号 | CN100558930C | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200480041752.7 | 申请日期 | 2004.07.29 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 高见英生;矢作政隆 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/457(2006.01)I;G11B7/24(2006.01)I;G11B7/26(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;郭国清 |
| 主权项 | 1.一种溅射靶，其特征在于，由向以SnO2为主要成分的In2O3-ZnO-SnO2类复合氧化物中添加Ta、Y中的任何一种或两种元素的氧化物所得的材料组成，用A表示Ta、Y中的任何一种或两种元素时，是各种元素比为In/(In+Zn+Sn+A)＝0.005～0.41、Zn/(In+Zn+Sn+A)＝0.03～0.45、Sn/(In+Zn+Sn+A)＝0.13～0.82、A/(In+Zn+Sn+A)＝0.08～0.66的氧化物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||