| 发明名称 |
高频调变之表面发射式半导体雷射 |
| 摘要 |
一种表面发射式半导体雷射，其包括：半导体晶片(1)；第一共振器镜面(4)和至少另一共振器镜面(8)，其配置在半导体晶片(1)外部且与第一共振器镜面(4)形成一种共振器长度L之雷射共振器；以及一泵送式雷射(10)，其将具有泵功率之泵辐射(14)入射至半导体晶片(1)中，以使以光学方式来泵送此半导体雷射(1)，其中泵功率以一种调变频率fP来调变且雷射共振器具有一种共振器长度L，其可依据此调变频率fP来调整。 |
| 申请公布号 |
TWI317194 |
申请公布日期 |
2009.11.11 |
| 申请号 |
TW095135299 |
申请日期 |
2006.09.25 |
| 申请人 |
欧斯朗奥托半导体股份有限公司 |
发明人 |
约西普马瑞克;尤瑞屈史提格慕勒;汤玛斯休瓦兹;麦可库内特 |
| 分类号 |
H01S5/183 |
主分类号 |
H01S5/183 |
| 代理机构 |
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代理人 |
何金涂 |
| 主权项 |
一种表面发射式半导体雷射，其包括：半导体晶片(1)；第一共振器镜面(4)和至少另一共振器镜面(8)，其配置在半导体晶片(1)外部且与第一共振器镜面(4)形成一种共振器长度L之雷射共振器；以及至少一泵送式雷射(10，12)，其将具有泵功率之泵辐射(14)入射至半导体晶片(1)中，以便以光学方式来泵送此半导体雷射(1)，其特征为：泵功率以一种调变频率fP来调变且雷射共振器具有一种共振器长度L，其可依据此调变频率fP来调整，其中对此泵功率作调变，使此泵功率于调变时的操作期间不低于泵雷射(10，12)之电射门限值，以及在调变时的操作期间不低于此表面发射式半导体雷射之雷射门限值。 |
| 地址 |
德国 |
